Avaliação da resposta de fototransistores bipolares SMT como detectores em feixes de fótons de megavoltagem gerados por um acelerador linear

J. O. da Silva, C. M. S. de Magalhães, J. A. Filho, L. A. P. dos Santos, W. M. Santos

Resumo


Fototransistores bipolares comerciais têm sido usados como detectores de radiação ionizante em feixes de raios-X de baixa energia. Contudo, quando são usados em feixes de raios-x de alta energia, ocorre certa perda de sensibilidade à radiação ionizante. Este dano é cumulativo e irreversível. Existem certos fatores que produzem variações na resposta do fototransistor quando está sob radiação ionizante de alta energia, como sua tecnologia de fabricação e suas características elétricas. O objetivo deste trabalho é apresentar resultados experimentais que são usados para correlacionar as curvas de resposta de fototransistores bipolares SMT (Surface-Mount Technology) com sua perda de sensibilidade após a irradiação com feixes de megavoltagem produzidos por um Linac (acelerador linear).  

Palavras-chave


fototransistor, dosimetria, radioterapia.

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