Avaliação da resposta de fototransistores bipolares SMT como detectores em feixes de fótons de megavoltagem gerados por um acelerador linear

Autores

  • J. O. da Silva Departamento de Energia Nuclear, Universidade Federal de Pernambuco e Laboratório de Instrumentação Nuclear, CRCN/CNEN
  • C. M. S. de Magalhães Departamento de Energia Nuclear, Universidade Federal de Pernambuco e Laboratório de Instrumentação Nuclear, CRCN/CNEN
  • J. A. Filho Departamento de Energia Nuclear, Universidade Federal de Pernambuco
  • L. A. P. dos Santos Laboratório de Instrumentação Nuclear, CRCN/CNEN
  • W. M. Santos Hospital Governador João Alves Filho

Palavras-chave:

fototransistor, dosimetria, radioterapia.

Resumo

Fototransistores bipolares comerciais têm sido usados como detectores de radiação ionizante em feixes de raios-X de baixa energia. Contudo, quando são usados em feixes de raios-x de alta energia, ocorre certa perda de sensibilidade à radiação ionizante. Este dano é cumulativo e irreversível. Existem certos fatores que produzem variações na resposta do fototransistor quando está sob radiação ionizante de alta energia, como sua tecnologia de fabricação e suas características elétricas. O objetivo deste trabalho é apresentar resultados experimentais que são usados para correlacionar as curvas de resposta de fototransistores bipolares SMT (Surface-Mount Technology) com sua perda de sensibilidade após a irradiação com feixes de megavoltagem produzidos por um Linac (acelerador linear).  

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Como Citar

da Silva, J. O., de Magalhães, C. M. S., A. Filho, J., dos Santos, L. A. P., & Santos, W. M. (2011). Avaliação da resposta de fototransistores bipolares SMT como detectores em feixes de fótons de megavoltagem gerados por um acelerador linear. Scientia Plena, 3(7). Recuperado de https://scientiaplena.emnuvens.com.br/sp/article/view/661

Edição

v. 3 n. 7 (2007): November/Novembro 2007

Seção

Artigos

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