Análise de parâmetros π-híbridos de um MOSFET com encapsulamento TO-220 sob feixes de raios X para diagnóstico médico

Resumo

Nas últimas décadas o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tem sido utilizado como detector de radiação ionizante, principalmente em aplicações dosimétricas em radioterapia. A base do método de funcionamento de tal dispositivo eletrônico em radioterapia consiste em mensurar a variação da tensão de limiar do MOSFET, pois este parâmetro elétrico é proporcional à dose de radiação ionizante depositada no dispositivo. O objetivo deste trabalho é apresentar um método inovador de medição da dose de radiação ionizante por meio da medição da variação de alguns parâmetros π-híbridos de um MOSFET. Foram analisados apenas transistores com encapsulamento TO-220 e dois tipos de polaridades distintas: canal n e canal p. Os dispositivos foram submetidos aos feixes de raios X cuja energia está na faixa aplicada ao diagnóstico médico. Os resultados mostraram que os parâmetros π-híbridos transcondutância e uma capacitância variam com a dose acumulada de radiação até o limite de 100 Gy.