[1]
Sousa, O.M. et al. 2017. Uma avaliação dos potencias LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores: ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando a teoria funcional da densidade. Scientia Plena. 13, 3 (jun. 2017). DOI:https://doi.org/10.14808/sci.plena.2017.034801.